STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 300 mA, 4-Pin STN1NK60Z SOT-223

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RS Best.-Nr.:
151-927
Herst. Teile-Nr.:
STN1NK60Z
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

300mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

SuperMESH

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

15Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.9nC

Durchlassspannung Vf

1.6V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.8mm

Länge

6.7mm

Breite

3.7 mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Power MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der Super MESH-Technologie entwickelt, die durch die Optimierung eines etablierten, auf Streifen basierenden Power MESH-Layouts erreicht wird. Zusätzlich zu einer erheblichen Verringerung des Widerstands am Strom, wurde dieses Gerät entwickelt, um ein hohes Maß an dv/dt-Fähigkeit für die anspruchsvollsten Anwendungen zu gewährleisten.

100 % Avalanche-getestet

Gate-Ladung minimiert

Verbesserte SD-Fähigkeit

Zenergeschützt

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