STMicroelectronics N-Kanal STHU60 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 600 V Erweiterung / 54 A, 7-Pin HU3PAK STHU60N046DM9AG

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RS Best.-Nr.:
481-130
Herst. Teile-Nr.:
STHU60N046DM9AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

54A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

HU3PAK

Serie

STHU60

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

N-Kanal

Höhe

3.6mm

Länge

11.9mm

Breite

14.1 mm

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
JP
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics basiert auf der fortschrittlichen Super-Junction-Technologie MDmesh DM9 und ist für Mittel- und Hochspannungsanwendungen konzipiert. Er zeichnet sich durch einen sehr niedrigen RDS(on) pro Fläche und eine integrierte Fast-Recovery-Diode aus. Die DM9-Technologie nutzt ein Multi-Drain-Fertigungsverfahren zur Verbesserung der Bauelementestruktur und -leistung. Mit niedriger Erholungsladung (Qrr), schneller Erholungszeit (trr) und niedrigem RDS(on) ist dieser schnell schaltende MOSFET ideal für hocheffiziente Brückentopologien und ZVS-Phasenschieberwandler.

Niedrige Gate-Ladung und Widerstand

100 % Avalanche-getestet

Äußerst hohe dv/dt-Robustheit

Hervorragende Schaltleistung dank des zusätzlichen Treiberstifts

AEC-Q101 qualifiziert

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