Microchip VN2106 N-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V / 600 mA 1 W, 3-Pin TO-92
- RS Best.-Nr.:
- 598-580
- Herst. Teile-Nr.:
- VN2106N3-G
- Marke:
- Microchip
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- VN2106N3-G
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- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 600mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | VN2106 | |
| Gehäusegröße | TO-92 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.8V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 0.165Zoll | |
| Höhe | 0.82Zoll | |
| Länge | 0.205Zoll | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 600mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie VN2106 | ||
Gehäusegröße TO-92 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.8V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 0.165Zoll | ||
Höhe 0.82Zoll | ||
Länge 0.205Zoll | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der vertikale N-Kanal-Enhancement-Modus-Transistor von Microchip nutzt eine vertikale doppelt diffusierte Metalloxid-Halbleiter-Struktur (DMOS) zusammen mit einem bewährten Silizium-Gate-Fertigungsprozess. Diese Kombination sorgt dafür, dass das Gerät frei von sekundären Ausfällen ist und mit einem niedrigen Stromversorgungsbedarf arbeitet, was es effizient und zuverlässig für verschiedene Anwendungen macht.
Einfache Parallelschaltung
Geringer Stromverbrauch
Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung