Vishay SISS178LDN Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 70 V / 45.3 A 39 W, 8-Pin SISS178LDN-T1-UE3

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RS Best.-Nr.:
653-101
Herst. Teile-Nr.:
SISS178LDN-T1-UE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

45.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

70V

Serie

SISS178LDN

Gehäusegröße

PowerPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0135Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.7nC

Maximale Verlustleistung Pd

39W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Vishay TrenchFET Gen IV ist für eine Ablassquelle-Spannung von 70 V ausgelegt. Gepackt in einem kompakten PowerPAK 1212-8S ist es ideal für KI-Server-Stromversorgungslösungen, DC/DC-Wandler und Lastschaltungen.

Bleifrei

Halogenfrei

RoHS-Konformität

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