Texas Instruments NexFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 104 A 96 W, 8-Pin VSON

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Herst. Teile-Nr.:
CSD25404Q3T
Marke:
Texas Instruments
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Marke

Texas Instruments

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

104A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

VSON

Serie

NexFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

150mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10.8nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

96W

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Durchlassspannung Vf

-1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.4mm

Breite

3.4 mm

Höhe

1.1mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

P-Kanal-Leistungs-MOSFET NexFET™, Texas Instruments


MOSFET-Transistoren, Texas Instruments


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