Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 204 A 3.2 W, 8-Pin VSON

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827-4870
Herst. Teile-Nr.:
CSD18502Q5B
Marke:
Texas Instruments
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Marke

Texas Instruments

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

204A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

VSON

Serie

NexFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

3.2W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

5.1 mm

Höhe

1.05mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.1mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments


MOSFET-Transistoren, Texas Instruments


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