Texas Instruments NexFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 20 A 2.9 W, 6-Pin WSON

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RS Best.-Nr.:
208-8488
Herst. Teile-Nr.:
CSD25310Q2
Marke:
Texas Instruments
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Marke

Texas Instruments

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

WSON

Serie

NexFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.39mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.7nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

2.9W

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.7mm

Breite

2 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

2mm

Automobilstandard

Nein

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