Infineon CoolMOS E6 IPA60R190E6XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 20 A 34 W, 3-Pin TO-220 FP

RS Best.-Nr.:: 145-9170
Herst. Teile-Nr.:: IPA60R190E6XKSA1
Marke:: Infineon

Infineon CoolMOS E6 IPA60R190E6XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 20 A 34 W, 3-Pin TO-220 FP

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Herst. Teile-Nr.:: IPA60R190E6XKSA1
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Ursprungsland:: MY

Produktdetails

Leistungs-MOSFET Infineon Serie CoolMOS™E6/P6

MOSFETs der Serie Infineon CoolMOS^™ E6 und P6. Diese äußerst effizienten Geräte können in verschiedenen Anwendungen wie der Leistungsfaktorkorrektur (PFC), Beleuchtung und Verbrauchergeräten sowie für Solartechnik, Telekommunikation und Server verwendet werden.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	20 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Serie	CoolMOS E6
Gehäusegröße	TO-220 FP
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	440 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.5V
Gate-Schwellenspannung min.	2.5V
Verlustleistung max.	34 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	63 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	4.9mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	10.65mm
Diodendurchschlagsspannung	0.9V
Höhe	16.15mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C