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    Infineon CoolMOS E6 IPA60R190E6XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 20 A 34 W, 3-Pin TO-220 FP

    Nicht mehr im Sortiment
    RS Best.-Nr.:
    145-9170
    Herst. Teile-Nr.:
    IPA60R190E6XKSA1
    Marke:
    Infineon

    Ursprungsland:
    MY
    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.20 A
    Drain-Source-Spannung max.650 V
    SerieCoolMOS E6
    GehäusegrößeTO-220 FP
    Montage-TypTHT
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.440 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.3.5V
    Gate-Schwellenspannung min.2.5V
    Verlustleistung max.34 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Gate-Ladung typ. @ Vgs63 nC @ 10 V
    Transistor-WerkstoffSi
    Breite4.9mm
    Betriebstemperatur max.+150 °C
    Länge10.65mm
    Diodendurchschlagsspannung0.9V
    Höhe16.15mm
    Betriebstemperatur min.–55 °C

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