ROHM RE1C002ZP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 250 mA 150 mW, 3-Pin RE1L002SNTL SOT-416
- RS Best.-Nr.:
- 148-6908
- Herst. Teile-Nr.:
- RE1L002SNTL
- Marke:
- ROHM
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 250mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOT-416 | |
| Serie | RE1C002ZP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 12Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150mW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 1.7mm | |
| Breite | 0.96 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 250mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOT-416 | ||
Serie RE1C002ZP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 12Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150mW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.8mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 1.7mm | ||
Breite 0.96 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Niederspannungs-Antriebsart (12 V)
Pch-Kleinsignal-MOSFET
Kleines oberflächenmontiertes Gehäuse
Bleifrei/RoHS-konform
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