Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 3.9 A 3.9 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
152-7154
Herst. Teile-Nr.:
PMV50ENEAR
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

69mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

3.9W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3mm

Höhe

1mm

Breite

1.4 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

N-Kanal-Trench-MOSFET für 30 V, N-Kanal Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB)-SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench MOSFET-Technologie.

Logikstufenkompatibel

Sehr schnelle Schaltung

Trench MOSFET-Technologie

Schutz gegen elektrostatische Entladung (ESD): > 2 kV HBM

AEC-Q101-qualifiziert

Relaistreiber

Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber

Low-Side-Lastschalter

Schalten von Stromkreisen

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