Vishay SIHF840STRL-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 8,1 A 125 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 165-5999
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHF840STRL-GE3
- Marke:
- Vishay
Voraussichtlich ab 05.11.2024 verfügbar.
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 800)
1,539 €
(ohne MwSt.)
1,831 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 800 + | 1,539 € | 1.231,20 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 165-5999
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHF840STRL-GE3
- Marke:
- Vishay
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
N-Kanal MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 8,1 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 500 V |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 850 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
| Verlustleistung max. | 125 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Länge | 10.67mm |
| Breite | 9.65mm |
| Höhe | 4.83mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
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