Vishay Si7456DDP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 27.8 A 35.7 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

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RS Best.-Nr.:
165-7065
Herst. Teile-Nr.:
SI7456DDP-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

27.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

Si7456DDP

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.031Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

9.7nC

Maximale Verlustleistung Pd

35.7W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.12mm

Länge

6.25mm

Breite

5.26 mm

Normen/Zulassungen

Lead (Pb)-Free

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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