Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1,5 A 400 mW, 3-Pin SOT-323

RS Best.-Nr.:: 165-7247
Herst. Teile-Nr.:: SI1308EDL-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1,5 A 400 mW, 3-Pin SOT-323

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RS Best.-Nr.:: 165-7247
Herst. Teile-Nr.:: SI1308EDL-T1-GE3
Marke:: Vishay

Si1308EDL, N-Channel 30V (Drain-Source) MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	1,5 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	SOT-323
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	185 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	0.6V
Verlustleistung max.	400 mW
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-12 V, +12 V
Länge	2.2mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	1.35mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	1,4 nC @ 4,5 V
Höhe	1mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1,5 A 400 mW, 3-Pin SOT-323

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N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor

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