Infineon HEXFET IRLML2030TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2,7 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 165-7763
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLML2030TRPBF
- Marke:
- Infineon
3000 lieferbar innerhalb von 1 Werktag(en) (Mo-Fr).
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Im Warenkorb
Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 3000)
0,078 €
(ohne MwSt.)
0,093 €
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
| 3000 - 3000 | 0,078 € | 234,00 € |
| 6000 - 12000 | 0,074 € | 222,00 € |
| 15000 + | 0,069 € | 207,00 € |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 165-7763
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLML2030TRPBF
- Marke:
- Infineon
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- PH
Produktdetails
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon
Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 2,7 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
| Gehäusegröße | SOT-23 |
| Serie | HEXFET |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 100 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.3V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.3V |
| Verlustleistung max. | 1,3 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Breite | 1.4mm |
| Länge | 3.04mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 1 nC @ 4,5 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Höhe | 1.02mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 165-7763
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLML2030TRPBF
- Marke:
- Infineon
Verwandte Produkte
- Infineon HEXFET IRLML6401TRPBF P-Kanal3 A 1 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET IRLML6244TRPBF N-Kanal3 A 1 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET IRLML2244TRPBF P-Kanal3 A 1 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET IRLML6344TRPBF N-Kanal3 W, 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET IRLML9301TRPBF P-Kanal6 A 1 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET IRLML6346TRPBF N-Kanal4 A 1 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET IRLML2246TRPBF P-Kanal6 A 1 3-Pin SOT-23
- Infineon HEXFET IRLML0030TRPBF N-Kanal3 A 1 3-Pin SOT-23