onsemi PowerTrench N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 600 mA 625 mW, 6-Pin SC-89-6
- RS Best.-Nr.:
- 166-1809
- Herst. Teile-Nr.:
- FDY3000NZ
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 600 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Gehäusegröße | SC-89-6 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 700 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.6V | |
| Verlustleistung max. | 625 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Gate-Source Spannung max. | -12 V, +12 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Breite | 1.2mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 0,8 nC @ 4,5 V | |
| Länge | 1.6mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Höhe | 0.5mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 600 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Serie PowerTrench | ||
Gehäusegröße SC-89-6 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 700 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.6V | ||
Verlustleistung max. 625 mW | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Gate-Source Spannung max. -12 V, +12 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Breite 1.2mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 0,8 nC @ 4,5 V | ||
Länge 1.6mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Höhe 0.5mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Zweifach-N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
Bei Semis PowerTrench ® MOSFETs handelt es sich um optimierte Leistungsschaltgeräte, die eine erhöhte Systemeffizienz und Leistungsdichte bieten. Sie kombinieren eine kleine Gate-Ladung, eine kleine Rückkehr-Rückgewinnung und eine weiche Rückgewinnungs-Gehäusediode, um zu einem schnellen Schalten der synchronen Gleichrichtung in AC/DC-Netzteilen beizutragen.
Durch die Leistung der Diode mit dem weichen Gehäuse der PowerTrench® MOSFETs kann ein Klemmdiodenstromkreise eliminiert oder ein MOSFET mit höherer Nennspannung ersetzt werden.
Durch die Leistung der Diode mit dem weichen Gehäuse der PowerTrench® MOSFETs kann ein Klemmdiodenstromkreise eliminiert oder ein MOSFET mit höherer Nennspannung ersetzt werden.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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