onsemi Isoliert PowerTrench N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 600 mA 625 mW, 6-Pin SC-89-6
- RS Best.-Nr.:
- 166-1809
- Herst. Teile-Nr.:
- FDY3000NZ
- Marke:
- onsemi
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 166-1809
- Herst. Teile-Nr.:
- FDY3000NZ
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 600mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SC-89-6 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 700mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12V, -12V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 625mW | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 1.6mm | |
| Höhe | 500μm | |
| Breite | 1.2mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 600mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SC-89-6 | ||
Serie PowerTrench | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 700mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12V, -12V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 625mW | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 1.6mm | ||
Höhe 500μm | ||
Breite 1.2mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
ON Semis PowerTrench® MOSFETS are optimised power switched that offer increased system efficiency and power density. They combine small gate charge, small reverse recovery and a soft reverse recovery body diode to contribute to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Verwandte Links
- onsemi Isoliert PowerTrench N-Kanal 2 6-Pin SC-89-6
- onsemi Isoliert PowerTrench Typ P-Kanal 2 6-Pin SC-89
- onsemi PowerTrench P-Kanal 3-Pin SOT-523 (SC-89)
- onsemi Einfach PowerTrench N-Kanal 3-Pin SOT-523 (SC-89)
- onsemi Einfach PowerTrench N-Kanal 1 3-Pin SOT-523 (SC-89)
- onsemi PowerTrench N-Kanal 6-Pin SOT-363 (SC-70)
- onsemi PowerTrench P-Kanal Dual 6-Pin SOT-363 (SC-70)
- onsemi 2N7002T N-Kanal 3-Pin SC-89