onsemi PowerTrench N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 600 mA 625 mW, 6-Pin SC-89-6

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RS Best.-Nr.:
166-1809
Herst. Teile-Nr.:
FDY3000NZ
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

600 mA

Drain-Source-Spannung max.

20 V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

SC-89-6

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand max.

700 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

0.6V

Verlustleistung max.

625 mW

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Gate-Source Spannung max.

-12 V, +12 V

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Breite

1.2mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

0,8 nC @ 4,5 V

Länge

1.6mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

0.5mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Zweifach-N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, Fairchild Semiconductor


Bei Semis PowerTrench ® MOSFETs handelt es sich um optimierte Leistungsschaltgeräte, die eine erhöhte Systemeffizienz und Leistungsdichte bieten. Sie kombinieren eine kleine Gate-Ladung, eine kleine Rückkehr-Rückgewinnung und eine weiche Rückgewinnungs-Gehäusediode, um zu einem schnellen Schalten der synchronen Gleichrichtung in AC/DC-Netzteilen beizutragen.
Durch die Leistung der Diode mit dem weichen Gehäuse der PowerTrench® MOSFETs kann ein Klemmdiodenstromkreise eliminiert oder ein MOSFET mit höherer Nennspannung ersetzt werden.


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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