onsemi Isoliert PowerTrench N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 600 mA 625 mW, 6-Pin SC-89-6
- RS Best.-Nr.:
- 166-1809
- Herst. Teile-Nr.:
- FDY3000NZ
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Serie | PowerTrench | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 20 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 600 mA | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 625 mW | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Gehäusegröße | SC-89-6 | |
| Höhe | 500 μm | |
| Länge | 1.6 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 700 mΩ | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | 12 V, -12 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Breite | 1.2 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Serie PowerTrench | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 20 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 600 mA | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 625 mW | ||
Pinanzahl 6 | ||
Gehäusegröße SC-89-6 | ||
Höhe 500 μm | ||
Länge 1.6 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 700 mΩ | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) 12 V, -12 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Breite 1.2 mm | ||
PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
ON Semis PowerTrench® MOSFETS are optimised power switched that offer increased system efficiency and power density. They combine small gate charge, small reverse recovery and a soft reverse recovery body diode to contribute to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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