IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, Schraub MOSFET 1000 V / 28 A 780 W, 4-Pin SOT-227

RS Best.-Nr.:: 168-4754
Herst. Teile-Nr.:: IXFN32N100Q3
Marke:: IXYS

IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, Schraub MOSFET 1000 V / 28 A 780 W, 4-Pin SOT-227

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Herst. Teile-Nr.:: IXFN32N100Q3
Marke:: IXYS

IXFN32N100Q3, HiperFET Power MOSFET, Q3-Class, N-Channel Enhancement Mode, Fast Intrinsic Rectifier
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	28 A
Drain-Source-Spannung max.	1000 V
Gehäusegröße	SOT-227
Serie	HiperFET, Q3-Class
Montage-Typ	Schraubmontage
Pinanzahl	4
Drain-Source-Widerstand max.	320 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	6.5V
Verlustleistung max.	780 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	25.07mm
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	38.23mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	195 nC @ 10 V
Höhe	9.6mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

IXYS HiperFET, Q3-Class N-Kanal, Schraub MOSFET 1000 V / 28 A 780 W, 4-Pin SOT-227

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N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Q3

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