IXYS Einfach HiperFET, Q3-Class N-Kanal 1, Schraubanschlussklemme MOSFET 1000 V Erweiterung / 38 A 960 W, 4-Pin SOT-227
- RS Best.-Nr.:
- 168-4755
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFN44N100Q3
- Marke:
- IXYS
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 38A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1000V | |
| Gehäusegröße | SOT-227 | |
| Serie | HiperFET, Q3-Class | |
| Montageart | Schraubanschlussklemme | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 220mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V, -30V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 960W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 38.23mm | |
| Höhe | 9.6mm | |
| Breite | 25.07mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 38A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1000V | ||
Gehäusegröße SOT-227 | ||
Serie HiperFET, Q3-Class | ||
Montageart Schraubanschlussklemme | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 220mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V, -30V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 960W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 38.23mm | ||
Höhe 9.6mm | ||
Breite 25.07mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
- Ursprungsland:
- US
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, Serie IXYS HiperFETTM Q3
Die IXYS Q3-Klasse von HiperFETTM-Leistungs-MOSFETs eignen sich sowohl für Hard Switching- als auch für Resonanzmodusanwendungen und bieten eine niedrige Gate-Ladung mit außergewöhnlicher Robustheit. Die Geräte verfügen über eine schnelle intrinsische Diode und sind in einer Vielzahl von Gehäusen nach Industriestandard erhältlich, einschließlich isolierter Typen, mit Nennspannungen von bis zu 1100 V und 70 A. Typische Anwendungen umfassen DC/DC-Wandler, Akkuladegeräte, Schalt- und Resonanz-Netzteile, DC-Schalter, Temperatur- und Beleuchtungssteuerung.
Schnelle intrinsische Gleichrichterdiode
Niedriger RDS(on) und QG (Gate-Ladung)
Geringer intrinsischer Gate-Widerstand
Gehäuse nach Industriestandard
Geringe Gehäuseinduktivität
Hohe Leistungsdichte
MOSFET-Transistoren, IXYS
Eine breite Palette von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS
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