IXYS Einfach HiperFET, Q3-Class N-Kanal 1, Schraubanschlussklemme MOSFET 1 kV Erweiterung / 38 A 960 W, 4-Pin SOT-227
- RS Best.-Nr.:
- 168-4755
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFN44N100Q3
- Marke:
- IXYS
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 38A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1kV | |
| Serie | HiperFET, Q3-Class | |
| Gehäusegröße | SOT-227 | |
| Montageart | Schraubanschlussklemme | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 220mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V, -30V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 960W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Länge | 38.23mm | |
| Höhe | 9.6mm | |
| Breite | 25.07mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 38A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1kV | ||
Serie HiperFET, Q3-Class | ||
Gehäusegröße SOT-227 | ||
Montageart Schraubanschlussklemme | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 220mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V, -30V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 960W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Länge 38.23mm | ||
Höhe 9.6mm | ||
Breite 25.07mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
- Ursprungsland:
- US
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 Series
The IXYS Q3 class of HiperFET™ Power MOSFETs are suitable for both hard switching and resonant mode applications, and offer low gate charge with exceptional ruggedness. The devices incorporate a fast intrinsic diode and are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 1100V and 70A. Typical applications include DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, temperature and lighting control.
Fast intrinsic rectifier diode
Low RDS(on) and QG (gate charge)
Low intrinsic gate resistance
Industry standard packages
Low package inductance
High power density
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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