Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5,4 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 168-5981
Herst. Teile-Nr.:: IRF9335TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5,4 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:: 168-5981
Herst. Teile-Nr.:: IRF9335TRPBF
Marke:: Infineon

IRF9335PbF, HEXFET Power MOSFET P-Channel -30V
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	5,4 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	SOIC
Serie	HEXFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	110 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.4V
Gate-Schwellenspannung min.	1.3V
Verlustleistung max.	2,5 W
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	9,1 nC @ 15 V
Länge	5mm
Breite	4mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	1.5mm
Diodendurchschlagsspannung	1.2V

Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5,4 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon

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