Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 5.4 A 2.5 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
168-5981
Herst. Teile-Nr.:
IRF9335TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

110mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

9.1nC

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

5mm

Höhe

1.5mm

Breite

4 mm

Automobilstandard

Nein

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