STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 800 V / 5.2 A 125 W, 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 168-6821
- Herst. Teile-Nr.:
- STP7NK80ZFP
- Marke:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
81,60 €
(ohne MwSt.)
97,10 €
(inkl. MwSt.)
Fügen Sie 100 Stück hinzu, um eine kostenlose Lieferung zu erhalten.
Auf Lager
- Zusätzlich 1.800 Einheit(en) mit Versand ab 03. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,632 € | 81,60 € |
| 100 - 200 | 1,273 € | 63,65 € |
| 250 + | 1,146 € | 57,30 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 168-6821
- Herst. Teile-Nr.:
- STP7NK80ZFP
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | TO-220FP | |
| Serie | SuperMESH | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.8Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 40nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 9.3mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC JESD97 | |
| Breite | 4.6 mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße TO-220FP | ||
Serie SuperMESH | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.8Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 40nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 9.3mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC JESD97 | ||
Breite 4.6 mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Verwandte Links
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal 3-Pin
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal 3-Pin
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal 3-Pin
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal 3-Pin
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Zener-geschützter SuperMESH-MOSFET Erweiterung 600 V / 10 A
- STMicroelectronics Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
