Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 13 A 66 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 168-7941
Herst. Teile-Nr.:: IRFR5410TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 13 A 66 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:: 168-7941
Herst. Teile-Nr.:: IRFR5410TRPBF
Marke:: Infineon

IRFR5410TRPBF / IRFU5410PBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	13 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	205 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	66 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Länge	6.73mm
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	58 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	6.22mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	2.39mm

Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 13 A 66 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V bis 150 V, Infineon

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