Infineon Si4435DYPbF SI4435DYTRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 8 A 2,5 W, 8-Pin SO-8

Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst P-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

Diese P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFETs von International Rectifier nutzen erweiterte Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand bei eingeschaltetem Zustand pro Siliziumfläche zu erzielen. Mit diesem Vorteil steht dem Konstrukteur ein äußerst effizientes Gerät für den Einsatz in Batterie- und Lastmanagement-Anwendungen zur Verfügung. Das SO-8 wurde durch einen kundenspezifischen Leiterrahmen modifiziert, um verbesserte thermische Eigenschaften zu erreichen und für mehrere Chips geeignet zu sein, was es ideal für eine Vielzahl von Leistungsanwendungen macht. Mit diesen Verbesserungen können mehrere Geräte in einer Anwendung verwendet werden, wodurch der Platzbedarf auf der Leiterplatte drastisch reduziert wird. Das Gehäuse ist für Dampfphasen-, Infrarot- oder Schwall-Lötverfahrenstechniken ausgelegt.

Vorteile:P-Kanal-MOSFET

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.