Vishay SQ Rugged N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 32 A 83 W, 5-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
170-8303
Herst. Teile-Nr.:
SQJ412EP-T1_GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

32A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

SQ Rugged

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

-20V, +20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Verlustleistung Pd

83W

Durchlassspannung Vf

800mV

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

1.14mm

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.03mm

Automobilstandard

AEC-Q101

N-Kanal MOSFET, Serie Automotive SQ Rugged, Vishay Semiconductor


Die MOSFETs der Serie SQ von Vishay Semiconductor wurden für alle Kfz Anwendungen entwickelt, die Robustheit und hohe Zuverlässigkeit erfordern.

Vorteile von MOSFETs der Serie SQ Rugged


• AEC-Q101-qualifiziert

• Anschlusstemperatur: bis zu +175 °C

• N- und P-Kanal-TrenchFET®-Technologien mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand

• Innovative platzsparende Gehäuseoptionen

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Approvals

AEC-Q101

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