- RS Best.-Nr.:
- 173-4053
- Herst. Teile-Nr.:
- SI7469DP-T1-E3
- Marke:
- Vishay Siliconix
Nicht mehr im Sortiment
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- 173-4053
- Herst. Teile-Nr.:
- SI7469DP-T1-E3
- Marke:
- Vishay Siliconix
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
P-Kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | P |
Dauer-Drainstrom max. | 28 A |
Drain-Source-Spannung max. | 80 V |
Gehäusegröße | PowerPAK SO-8 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 8 |
Drain-Source-Widerstand max. | 29 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
Verlustleistung max. | 83 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Länge | 5.99mm |
Breite | 5mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 105 nC @ 10 V |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Transistor-Werkstoff | Si |
Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Serie | TrenchFET |
Höhe | 1.07mm |
- RS Best.-Nr.:
- 173-4053
- Herst. Teile-Nr.:
- SI7469DP-T1-E3
- Marke:
- Vishay Siliconix
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