Vishay TrenchFET SI5504BDC-T1-E3 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 4 A, 3,7 A, 8-Pin 1206 ChipFET

RS Best.-Nr.:: 180-7761
Herst. Teile-Nr.:: SI5504BDC-T1-E3
Marke:: Vishay

Vishay TrenchFET SI5504BDC-T1-E3 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 4 A, 3,7 A, 8-Pin 1206 ChipFET

Voraussichtlich ab 10.09.2024 verfügbar.

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer VPE à 10)

0,734 €

(ohne MwSt.)

0,873 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
10 - 90	0,734 €	7,34 €
100 - 240	0,697 €	6,97 €
250 - 490	0,529 €	5,29 €
500 - 990	0,477 €	4,77 €
1000 +	0,404 €	4,04 €

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RS Best.-Nr.:: 180-7761
Herst. Teile-Nr.:: SI5504BDC-T1-E3
Marke:: Vishay

Mehr Infos und technische Dokumente

Datasheet

Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: CN

Produktdetails

Vishay MOSFET

Der Vishay SMD-Zweikanal-MOSFET (P- und N-Kanäle) ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 30 V und einem Drain-Source-Widerstand von 65 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Nennleistung von 3,1 W und 3,12 W. Der MOSFET hat kontinuierliche Abflussströme von 4 A und 3,7 A. Es wurde optimiert für geringere Schalt- und Leitungsverluste.

Eigenschaften und Vorteile

• Halogenfrei
• bleifrei (Pb)
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Anwendungen

• DC/DC für tragbare Geräte
• Lastschalter

Zertifizierungen

• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N, P
Dauer-Drainstrom max.	4 A, 3,7 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Serie	TrenchFET
Gehäusegröße	1206 ChipFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	0,1 O, 0,235 O
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3V
Anzahl der Elemente pro Chip	2