Vishay TrenchFET SI5515CDC-T1-GE3 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 4 A, 8-Pin 1206 ChipFET

RS Best.-Nr.:: 180-7787
Herst. Teile-Nr.:: SI5515CDC-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay TrenchFET SI5515CDC-T1-GE3 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 4 A, 8-Pin 1206 ChipFET

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Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer VPE à 20)

0,639 €

(ohne MwSt.)

0,76 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
20 - 180	0,639 €	12,78 €
200 - 480	0,493 €	9,86 €
500 - 980	0,416 €	8,32 €
1000 - 1980	0,384 €	7,68 €
2000 +	0,345 €	6,90 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 180-7787
Herst. Teile-Nr.:: SI5515CDC-T1-GE3
Marke:: Vishay

Mehr Infos und technische Dokumente

Datasheet

Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: CN

Produktdetails

Vishay MOSFET

Der Vishay SMD-Zweikanal-MOSFET (P- und N-Kanäle) ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 20 V und einem Drain-Source-Widerstand von 36 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 4,5 V. Er hat eine maximale Nennleistung von 3,1 W. Der MOSFET hat einen kontinuierlichen Ableitungsstrom von 4 A. Es hat Anwendung in Lastschaltern für tragbare Geräte. MOSFET wurde optimiert für geringere Schalt- und Leitungsverluste.

Eigenschaften und Vorteile

• Halogenfrei
• bleifrei (Pb)
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Zertifizierungen

• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg-geprüft

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N, P
Dauer-Drainstrom max.	4 A
Drain-Source-Spannung max.	20 V
Gehäusegröße	1206 ChipFET
Serie	TrenchFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	0,05 O, 0,156 O
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	0.8V
Anzahl der Elemente pro Chip	2