Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 16 A 13 W, 6-Pin MICRO FOOT
- RS Best.-Nr.:
- 180-7932
- Herst. Teile-Nr.:
- SI8483DB-T2-E1
- Marke:
- Vishay
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*Richtpreis
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- Herst. Teile-Nr.:
- SI8483DB-T2-E1
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 16A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 12V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | MICRO FOOT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 26mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 13W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 21nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.59mm | |
| Länge | 1.5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 16A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 12V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße MICRO FOOT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 26mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 13W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 21nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.59mm | ||
Länge 1.5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Zweikanal-MOSFET der Vishay Siliconix Si8483DB-Serie TrenchFET mit zwei N-Kanälen hat eine Ableitungs-/Quellspannung von 12 V. Es ist die maximale Verlustleistung von 13 W und wird hauptsächlich in Lastschaltern in tragbaren Geräten verwendet.
Niedriger Spannungsabfall
Geringer Stromverbrauch
Längere Batterie- lebensdauer
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