Vishay Einfach Typ N-Kanal 1 MOSFET 50 V / 2.4 A 1 W, 4-Pin HVMDIP

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RS Best.-Nr.:
180-8317
Herst. Teile-Nr.:
IRFD020PBF
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

50V

Gehäusegröße

HVMDIP

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.1Ω

Maximale Verlustleistung Pd

1W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Durchlassspannung Vf

1.4V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

24nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Transistor-Konfiguration

Einfach

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

0.425 in

Länge

0.29in

Normen/Zulassungen

RoHS Directive 2002/95/EC

Höhe

0.330in

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH

Vishay MOSFET


Der Vishay MOSFET ist ein N-Kanal HVMDIP-4-Gehäuse und ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 50 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 100 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Der MOSFET hat eine maximale Verlustleistung von 1 W. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile


• Kompakt, am Ende stapelbar

• Einfache Parallelschaltung

• Ausgezeichnete Temperaturstabilität

• Schnelles Schalten

• für automatisches Einsetzen

• bleifreie Komponente (Pb)

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.

Anwendungen


• Akkuladegeräte

• Umrichter

• Netzteile

• Schaltnetzteil (SMPS)

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