STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 72 A 446 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 195-2681
- Herst. Teile-Nr.:
- STWA75N60M6
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 72A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 36mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 446W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 106nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 15.9mm | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 72A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 36mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 446W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 106nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 15.9mm | ||
Höhe 21.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Die neue MDmesh TM M6-Technologie umfasst die neuesten Fortschritte der bekannten und konsolidierten MDmesh-Familie von SJ MOSFETs. STMicroelectronics baut auf der vorherigen Generation von MDmesh Geräten auf durch seine neue M6-Technologie, die eine ausgezeichnete RDS(on)-Verbesserung pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten auf dem Markt kombiniert, sowie eine benutzerfreundliche Erfahrung für maximale Effizienz bei der Endanwendung.
Geringere Schaltverluste
Niedrigerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation
Niedriger Gate-Eingangswiderstand
Zenerdioden-geschützt
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