STMicroelectronics N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 72 A 446 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 195-2681
- Herst. Teile-Nr.:
- STWA75N60M6
- Marke:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
10,15 €
(ohne MwSt.)
12,08 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 08. März 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | 10,15 € |
| 10 - 99 | 8,26 € |
| 100 + | 8,15 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 195-2681
- Herst. Teile-Nr.:
- STWA75N60M6
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 72A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 36mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 106nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 446W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 5.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 15.9mm | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 72A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 36mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 106nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 446W | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 5.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 15.9mm | ||
Höhe 21.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Die neue MDmesh TM M6-Technologie umfasst die neuesten Fortschritte der bekannten und konsolidierten MDmesh-Familie von SJ MOSFETs. STMicroelectronics baut auf der vorherigen Generation von MDmesh Geräten auf durch seine neue M6-Technologie, die eine ausgezeichnete RDS(on)-Verbesserung pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten auf dem Markt kombiniert, sowie eine benutzerfreundliche Erfahrung für maximale Effizienz bei der Endanwendung.
Geringere Schaltverluste
Niedrigerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation
Niedriger Gate-Eingangswiderstand
Zenerdioden-geschützt
Verwandte Links
- STMicroelectronics N-Kanal 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh DM2 N-Kanal 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics Einfach N-Kanal 1 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS N-Kanal 4-Pin TO-247
- onsemi N-Kanal 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh N-Kanal 3-Pin TO-247
- onsemi NTHL N-Kanal 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh DM6 N-Kanal 3-Pin TO-247