Vishay SQD10950E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 11.5 A 62 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
200-6793
Herst. Teile-Nr.:
SQD10950E_GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

11.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

250V

Serie

SQD10950E

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

180mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

62W

Durchlassspannung Vf

1.5V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

16nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.73mm

Höhe

10.41mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

2.38 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Vishay SQD10950E_GE3 ist ein Kfz-N-Kanal-250-V-(D-S)-MOSFET mit 175 °C.

TrenchFET® Leistungs-MOSFET

Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand

100 % Rg- und UIS-getestet

AEC-Q101-qualifiziert

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