onsemi NVB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 60 A 178 W, 7-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
202-5730
Herst. Teile-Nr.:
NVBG040N120SC1
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

60A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

NVB

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

56mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

178W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

106nC

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

10.2mm

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Breite

4.7 mm

Höhe

15.7mm

Automobilstandard

Nein

Siliziumkarbid (SiC) MOSFET, N-Kanal - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L Siliziumkarbid MOSFET, N-Kanal, 1200 V, 40 m?, D2PAK-7L


Der on Semiconductor Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET läuft mit 60 Ampere und 1200 Volt. Er kann in Kfz-Ladegeräten, DC- oder DC-Wandleranwendungen verwendet werden.

AEC Q101-zertifiziert

Produktionsteil-Genehmigungsprozess möglich

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Niedrige effektive Ausgangskapazität

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