Vishay SiHG125N60EF SIHG125N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 25 A, 3-Pin TO-247AC
- RS Best.-Nr.:
- 204-7252
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHG125N60EF-GE3
- Marke:
- Vishay
Nicht mehr im Sortiment
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- 204-7252
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHG125N60EF-GE3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Leistungs-MOSFET Vishay Serie EF mit schneller Gehäusediode hat eine Technologie der 4. Generation der E-Serie. Sie hat geringere Schalt- und Leitungsverluste.
Lawinenenergie (UIS)
Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg
Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 25 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V |
| Serie | SiHG125N60EF |
| Gehäusegröße | TO-247AC |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,125 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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