- RS Best.-Nr.:
- 204-7254
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHG125N60EF-GE3
- Marke:
- Vishay
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 204-7254
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHG125N60EF-GE3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Leistungs-MOSFET Vishay Serie EF mit schneller Gehäusediode hat eine Technologie der 4. Generation der E-Serie. Sie hat geringere Schalt- und Leitungsverluste.
Lawinenenergie (UIS)
Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg
Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 25 A |
Drain-Source-Spannung max. | 600 V |
Serie | SiHG125N60EF |
Gehäusegröße | TO-247AC |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 0,125 Ω |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 5V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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