Vishay Doppelt SiZ270DT Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 19.1 A 33 W, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 S.

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RS Best.-Nr.:
204-7264
Herst. Teile-Nr.:
SIZ270DT-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

19.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

SiZ270DT

Gehäusegröße

PowerPAIR 3 x 3 S.

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0377Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

33W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

13.3nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

3.3 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.3mm

Höhe

0.75mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Die Vishay Dual N-Channel 100 V (D-S) MOSFETs sind eine integrierte MOSFET-Halbbrücken-Leistungsstufe und haben ein optimiertes QGS/QGS-Verhältnis, das die Schalteigenschaften verbessert.

100 % Rg- und UIS-geprüft

Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV

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