onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 61 A 108.7 W, 8-Pin PQFN

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

19,49 €

(ohne MwSt.)

23,19 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 9.570 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 +1,949 €19,49 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
205-2430
Herst. Teile-Nr.:
NTMFS015N15MC
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

61A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

PowerTrench

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

14mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

27nC

Maximale Verlustleistung Pd

108.7W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5.9mm

Höhe

0.9mm

Breite

4.9 mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor Power Trench Serie 150 V N-Kanal MOSFET wird mit Advanced Process mit geschirmter Gate-Technologie hergestellt. Dieses Verfahren wurde optimiert zur Minimierung des Durchlasswiderstands unter Beibehaltung der überlegenen Schaltleistung mit der branchenführenden weich schaltenden Body-Diode.

Der maximale Drain-Nennstrom beträgt 61A.

Der Widerstand zwischen Ablass und Quelle beträgt 14 MOhm

Kleine Abmessungen (5 mm x 6 mm) für kompakte Bauweise

Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten

Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten

100 % UIL-geprüft

Gehäuse ist Power 56 (PQFN8)

Verwandte Links