Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 8 A 78 W, 3-Pin SIHG11N80AE-GE3 TO-247

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Herst. Teile-Nr.:
SIHG11N80AE-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

E

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

391mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

28nC

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

78W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

15.5 mm

Höhe

4.83mm

Länge

45.3mm

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie hat den Gehäusetyp TO-247AC mit einer Konfiguration.

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg

Niedrige effektive Kapazität (Ziss)

Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste

Ultraniedrige Gatterladung (Qg)

Lawinenenergie (UIS)

Integrierter Zenerdiode-ESD-Schutz

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