Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 12 A 89 W, 4-Pin PowerPAK 8 x 8

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Herst. Teile-Nr.:
SIHH240N60E-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

PowerPAK 8 x 8

Serie

E

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

208mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

89W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

7.9mm

Breite

7.9 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.9mm

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie verfügt über ein 8 x 8-Gehäuse mit PowerPAK und einer einzigen Konfiguration.

Technologie der 4. Generation der E-Serie

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg

Niedrige effektive Kapazität (Co(er))

Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste

Lawinenenergie (UIS)

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