Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 180 A 313 W, 7-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 214-4363
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB017N10N5LFATMA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 180A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 195nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 313W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.31mm | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 195nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 313W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.31mm | ||
Höhe 4.57mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Kombiniert einen niedrigen RDS(on) mit einem großen sicheren Betriebsbereich (SOA)
OptiMOSTM Linear FET ist ein revolutionärer Ansatz zur Vermeidung des Kompromisses zwischen dem Widerstand im eingeschalteten Zustand (R DS(on)) und der linearen Modusfähigkeit – Betrieb im Sättigungsbereich eines erweiterten Modus-MOSFETs. Er bietet den hochmodernen R DS(on) eines Trenn-MOSFETs zusammen mit dem großen sicheren Betriebsbereich eines klassischen planaren MOSFETs.
Zusammenfassung der Merkmale
•Kombination aus niedrigem R DS(on) und einem großen sicheren Betriebsbereich (SOA)
•Hoher max. Impulsstrom
•Hoher durchgehender Impulsstrom
Vorteile
•Robuster Linearbetrieb
•Geringe Leitungsverluste
•Höherer Einschaltstrom für schnelleres Starten und kürzere Ausfallzeiten
Anwendungsmöglichkeiten
•Telekom
•Batteriemanagement
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