Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 180 A 313 W, 7-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 214-4363
Herst. Teile-Nr.:: IPB017N10N5LFATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 180 A 313 W, 7-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:: 214-4363
Herst. Teile-Nr.:: IPB017N10N5LFATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	180A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Gehäusegröße	TO-263
	Serie	OptiMOS
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	7
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.7mΩ
	Channel-Modus	N
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	195nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Maximale Verlustleistung Pd	313W
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Breite	9.45mm
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	10.31mm
	Höhe	4.57mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Gehäusegröße TO-263
	Serie OptiMOS
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 7
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.7mΩ
	Channel-Modus N
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 195nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Maximale Verlustleistung Pd 313W
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Breite 9.45mm
	Normen/Zulassungen No
	Länge 10.31mm
	Höhe 4.57mm
	Automobilstandard Nein

IPB017N10N5LFATMA1 Datasheet

MOSFET der OptiMOS-Serie von Infineon, 100 V maximale Drain-Source-Spannung, 180 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPB017N10N5LFATMA1

Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Schalttransistor, der für anspruchsvolle Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er funktioniert über einen breiten Temperaturbereich und wird in einem oberflächenmontierten TO-263-Gehäuse für die Integration in kompakte Baugruppen geliefert. Das Gerät ist für den Einsatz vorgesehen, bei dem eine effiziente Leitfähigkeit und ein robustes Schalten in Systemen der 100-V-Klasse erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:

• 1,7 mΩ Rds(on) ermöglichen geringe Leitungsverluste und höheren Wirkungsgrad
• 180 A kontinuierlicher Ablassstrom für hohe Lastströme
• 100 V Drain-Source-Nennleistung für Hochspannungsschaltanwendungen
• 313 W Verlustleistung ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• 195 nC typische Gate-Ladung ermöglicht kontrollierte Gate-Dynamik
• Gate-Toleranz von 20 V ermöglicht flexible Gate-Drive-Spannungen

Anwendungsbereich

• Geeignet für DC/DC-Wandler in industriellen Netzteilen
• Ideal für synchrone Hochstrom-Gleichrichterstufen
• Einsatz mit Motorantrieben, die robuste Schaltelemente erfordern
• Kann für die Stromverteilung in Telekommunikationsgeräten verwendet werden
• Geeignet für Server-Stromversorgungsmodule und Rechenzentren

Welchen Temperaturbereich verträgt er im Betrieb?

Es funktioniert von -55 °C bis 150 °C und deckt erweiterte industrielle und eingebettete Umgebungen ab.

Welches Gehäuse sollten Entwickler bei der Verlegung von Leiterplatten berücksichtigen?

Er wird in einem TO-263-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das thermische Erdungsmuster für eine effektive Wärmeableitung erfordert.

Wie viele Pins bietet das Gerät für den Anschluss?

Die Komponente verfügt über sieben Stifte zur Aufnahme von Strom- und Gate-Verbindungen sowie Gehäuseanker.

Welche Art von Kanal wird verwendet, und wie wirkt sich das auf das Schaltungsdesign aus?

Es handelt sich um ein N-Kanal-Gerät, das typisch für Low-Side-Schalt- und synchrone Gleichrichterkonfigurationen ist.