Infineon OptiMOS 5 80V Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 80 A 125 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 215-2496
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB049N08N5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
18,02 €
(ohne MwSt.)
21,44 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 730 Einheit(en) mit Versand ab 19. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | 1,802 € | 18,02 € |
| 20 - 40 | 1,712 € | 17,12 € |
| 50 - 90 | 1,64 € | 16,40 € |
| 100 - 240 | 1,568 € | 15,68 € |
| 250 + | 1,46 € | 14,60 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 215-2496
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB049N08N5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 80A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | OptiMOS 5 80V | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 49mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 53nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie OptiMOS 5 80V | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 49mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 53nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der OptiMOS TM 5 80V-MOSFET IPB049N08N5 von Infineon bietet eine RDS(on)-Reduzierung von 43 % im Vergleich zu früheren Generationen und ist ideal für hohe Schaltfrequenzen geeignet. Die Geräte dieser Familie wurden speziell für die synchrone Gleichrichtung in Telekommunikations- und Servernetzteilen entwickelt. Darüber hinaus können sie auch in anderen industriellen Anwendungen wie Solar-, Niederspannungsantrieben und Adaptern eingesetzt werden.
Optimiert für synchrone Gleichrichtung
Ideal für hohe Schaltfrequenzen
Reduzierung der Ausgangskapazität um bis zu 44 %
RDS(on)-Reduzierung von bis zu 44 %
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS 5 80V Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal 3-Pin TO-263