Infineon OptiMOS 5 80V Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 80 A 125 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
215-2496
Herst. Teile-Nr.:
IPB049N08N5ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

80A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

OptiMOS 5 80V

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

49mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

53nC

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der OptiMOS TM 5 80V-MOSFET IPB049N08N5 von Infineon bietet eine RDS(on)-Reduzierung von 43 % im Vergleich zu früheren Generationen und ist ideal für hohe Schaltfrequenzen geeignet. Die Geräte dieser Familie wurden speziell für die synchrone Gleichrichtung in Telekommunikations- und Servernetzteilen entwickelt. Darüber hinaus können sie auch in anderen industriellen Anwendungen wie Solar-, Niederspannungsantrieben und Adaptern eingesetzt werden.

Optimiert für synchrone Gleichrichtung

Ideal für hohe Schaltfrequenzen

Reduzierung der Ausgangskapazität um bis zu 44 %

RDS(on)-Reduzierung von bis zu 44 %

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