Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 13 A 66 W, 3-Pin IRFR5410TRLPBF TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 215-2601
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR5410TRLPBF
- Marke:
- Infineon
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| 20 - 20 | 1,177 € | 23,54 € |
| 40 - 80 | 1,118 € | 22,36 € |
| 100 - 180 | 1,071 € | 21,42 € |
| 200 - 480 | 1,024 € | 20,48 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 215-2601
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR5410TRLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 205mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | -1.6V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 66W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 58nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Distrelec Product Id | 304-39-424 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 205mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf -1.6V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 66W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 58nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Distrelec Product Id 304-39-424 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon Serie der fünften Generation des HEXFET von International Rectifier nutzt Advanced Processing Techniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im Siliziumbereich zu erreichen. Diese Vorteile, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFET bekannt ist und ein Gerät mit ausreichender Leistung bietet, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das D-Pack wurde für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Schwall-Lötverfahren entwickelt.
Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
Sehr niedriger Einschaltwiderstand
Bleifrei
Vollständig lawinengeprüft
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