Infineon HEXFET IRFR220NTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 5 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 217-2617
Herst. Teile-Nr.:: IRFR220NTRLPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRFR220NTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 5 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Preis pro Stück (In einer VPE à 25)

0,647 €

(ohne MwSt.)

0,77 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
25 - 100	0,647 €	16,175 €
125 - 225	0,615 €	15,375 €
250 - 600	0,589 €	14,725 €
625 - 1225	0,563 €	14,075 €
1250 +	0,453 €	11,325 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 217-2617
Herst. Teile-Nr.:: IRFR220NTRLPBF
Marke:: Infineon

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Datasheet - IRFR220NTRLPBF

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Der Infineon 200 V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse.

Planare Zellstruktur für eine breite SOA
Optimiert für die breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern
Produktqualifikation nach JEDEC-Standard
Silizium optimiert für Anwendungen, die unter <100 kHz schalten
SMD-Leistungsgehäuse nach Industriestandard
Kann wellengelötet werden

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	5 A
Drain-Source-Spannung max.	200 V
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Serie	HEXFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	600 mO
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Anzahl der Elemente pro Chip	1

Infineon HEXFET IRFR220NTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 5 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

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