STMicroelectronics SCTL90N SCTL90N65G2V N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 40 A, 5-Pin PowerFLAT 8 x 8 HV
- RS Best.-Nr.:
- 219-4226
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTL90N65G2V
- Marke:
- STMicroelectronics
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Produktdetails
Das STMicroelectronics Siliziumkarbid Leistungs-MOSFET-Gerät wurde mit der Advanced und innovativen Sic MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Geringe Kapazitäten
Quellerkennungsstift für erhöhte Effizienz
Geringe Kapazitäten
Quellerkennungsstift für erhöhte Effizienz
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 40 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V |
| Gehäusegröße | PowerFLAT 8 x 8 HV |
| Serie | SCTL90N |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 5 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,24 O |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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