onsemi NTP165N65S NTP165N65S3H N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 19 A, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 221-6747
- Herst. Teile-Nr.:
- NTP165N65S3H
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der on Semiconductor SuperFET III MOSFET verfügt über eine Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie, die Ladungsausgleichstechnologie für einen hervorragenden niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringere Gate-Ladungsleistung nutzt. Diese Advanced Technology ist auf die Minimierung von Leitungsverlusten ausgelegt, bietet eine überlegene Schaltleistung und hält extremen dv/dt-Rate stand.
Extrem niedrige Gate-Ladung
Niedrige effektive Ausgangskapazität 326 pF
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Niedrige effektive Ausgangskapazität 326 pF
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 19 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V |
| Serie | NTP165N65S |
| Gehäusegröße | TO-220 |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,165 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Transistor-Werkstoff | Si |
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