- RS Best.-Nr.:
- 221-6748
- Herst. Teile-Nr.:
- NTP165N65S3H
- Marke:
- onsemi
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Preis pro Stück (In einer VPE à 2)
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
---|---|---|
2 - 8 | 4,20 € | 8,40 € |
10 - 98 | 3,865 € | 7,73 € |
100 - 248 | 3,555 € | 7,11 € |
250 - 498 | 3,295 € | 6,59 € |
500 + | 3,20 € | 6,40 € |
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- Herst. Teile-Nr.:
- NTP165N65S3H
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der on Semiconductor SuperFET III MOSFET verfügt über eine Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie, die Ladungsausgleichstechnologie für einen hervorragenden niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringere Gate-Ladungsleistung nutzt. Diese Advanced Technology ist auf die Minimierung von Leitungsverlusten ausgelegt, bietet eine überlegene Schaltleistung und hält extremen dv/dt-Rate stand.
Extrem niedrige Gate-Ladung
Niedrige effektive Ausgangskapazität 326 pF
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Niedrige effektive Ausgangskapazität 326 pF
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 19 A |
Drain-Source-Spannung max. | 650 V |
Serie | NTP165N65S |
Gehäusegröße | TO-220 |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 0,165 Ω |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
Transistor-Werkstoff | Si |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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