ROHM R8009KNX Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 800 V / 9 A 59 W, 3-Pin TO-220

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme 50 Stück (geliefert in Stange)*

129,25 €

(ohne MwSt.)

153,80 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 26 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
50 - 982,585 €
100 - 2482,33 €
250 - 4982,28 €
500 +2,24 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
223-6215P
Herst. Teile-Nr.:
R8009KNXC7G
Marke:
ROHM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Serie

R8009KNX

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

600mΩ

Channel-Modus

N

Maximale Verlustleistung Pd

59W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

27nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Rohm Leistungs-MOSFET hat das TO-220FM-Gehäuse. Er wird hauptsächlich zum Schalten verwendet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Parallele Nutzung ist einfach

Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform

Verwandte Links