Infineon IPDQ60R010S7A IPDQ60R010S7AXTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 50 A, 22-Pin QDPAK

Der Infineon IPDQ60R010S7A ist ein Hochspannungs-Leistungs-MOSFET, der als statischer Schalter gemäß dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt wurde. Das mosfet kombiniert die Erfahrung des führenden SJ MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation, die niedrigen RDS (ein) im QDPAK-Gehäuse ermöglicht. Die S7A-Serie ist für das Schalten mit niedriger Frequenz und hohen Strom optimiert. Anwendung wie Überlastschalter.

Minimiert Leitungsverluste
Erhöht die Energieeffizienz
Kompaktere und einfachere Designs
Niedrigere TCO- oder Stücklistenkosten