Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 45 V / 113 A 48 W, 4-Pin SO-8

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

6,30 €

(ohne MwSt.)

7,50 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Die Versandkosten für Bestellungen unter 100,00 € (ohne MwSt.) betragen 8,95 €.
Auf Lager
  • Zusätzlich 5.995 Einheit(en) mit Versand ab 23. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 451,26 €6,30 €
50 - 1201,132 €5,66 €
125 - 2450,946 €4,73 €
250 - 4950,88 €4,40 €
500 +0,58 €2,90 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
228-2887
Herst. Teile-Nr.:
SiJ450DP-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

113A

Drain-Source-Spannung Vds max.

45V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

48W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

75.5nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Vishay TrenchFET N-Kanal ist ein 45-V-MOSFET.

100 % Rg- und UIS-geprüft

Verwandte Links