onsemi NTH4L022N120M3S N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 68 A, 4-Pin TO-247-4L
- RS Best.-Nr.:
- 233-6853
- Herst. Teile-Nr.:
- NTH4L022N120M3S
- Marke:
- onsemi
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- RS Best.-Nr.:
- 233-6853
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- NTH4L022N120M3S
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Produktdetails
Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L
Der on Semiconductor NTH4L022N120M3S ist ein Einkanal-MOSFET mit SiC-Leistung. Es ist in einem TO247-4L-Gehäuse erhältlich. Mit einer Drain-to-Source-Spannung von 1200 V und einem durchgehenden Drain-Strom von 68 A wird der NTH4L022N120M3S in Anwendungen wie Solarinvertern, Ladestationen für Elektrofahrzeuge, USV (unterbrechungsfreie Stromversorgungen), Energiespeichersysteme, SMPS (Schaltnetzteile) eingesetzt.
Der typische RDS(on) für dieses Gerät beträgt 22 mFx mit VGS von 18 V.
Das Gerät bietet geringe Schaltverluste
Es ist zu 100 % lawinengeprüft
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Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 68 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 1200 V |
| Gehäusegröße | TO-247-4L |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 4 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,03 Ω |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.4V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Transistor-Werkstoff | SiC |
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