Renesas Electronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1500 V / 4 A 125 W, 3-Pin TO-3PN
- RS Best.-Nr.:
- 234-7062
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK1835-E
- Marke:
- Renesas Electronics
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- 2SK1835-E
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- Renesas Electronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1500V | |
| Gehäusegröße | TO-3PN | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.6Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 15.9mm | |
| Breite | 20.1 mm | |
| Höhe | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1500V | ||
Gehäusegröße TO-3PN | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.6Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 15.9mm | ||
Breite 20.1 mm | ||
Höhe 5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Silizium-N-Kanal-MOSFET von Renesas Electronics ist für Schalt- und Lastschalteranwendungen geeignet. Er hat eine hohe Unterbrechungsspannung von 1500 V. Er ist auch für Schaltregler geeignet.
Geringer Durchlasswiderstand
Hochgeschwindigkeits-Schalten
Hohe Robustheit
Niedriger Antriebsstrom
Keine sekundäre Unterbrechung
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