Toshiba Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 168 A 2.5 W, 8-Pin TPH2R608NH,L1Q(M SOP
- RS Best.-Nr.:
- 236-3629
- Herst. Teile-Nr.:
- TPH2R608NH,L1Q(M
- Marke:
- Toshiba
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| 500 - 995 | 0,528 € | 2,64 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 236-3629
- Herst. Teile-Nr.:
- TPH2R608NH,L1Q(M
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 168A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 75V | |
| Gehäusegröße | SOP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.6mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 72nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Breite | 5 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 168A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 75V | ||
Gehäusegröße SOP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.6mΩ | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 72nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 0.95mm | ||
Breite 5 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Toshiba MOSFET besteht aus Siliziummaterial und hat einen N-Kanal-MOS-Typ. Er wird hauptsächlich in hocheffizienten DC/DC-Wandlern und Schaltspannungsregleranwendungen eingesetzt.
Hochgeschwindigkeitsschalten