STMicroelectronics STW Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 30 V / 55 A 480 W, 4-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 240-0612
- Herst. Teile-Nr.:
- STW75N65DM6-4
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 55A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | STW | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 45mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 480W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 118nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 15.8 mm | |
| Länge | 40.92mm | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Normen/Zulassungen | UL | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 55A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie STW | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 45mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 480W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 118nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 15.8 mm | ||
Länge 40.92mm | ||
Höhe 5.1mm | ||
Normen/Zulassungen UL | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Hochspannungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics ist Teil der MDmesh DM6-Schnell-Erholdioden-Serie. Im Vergleich zur vorherigen MDmesh-Schnellgeneration kombiniert DM6 sehr niedrige Erholladung (Qrr), Erholzeit (trr) und ausgezeichnete Verbesserung der RDS(on) pro Bereich mit einer der größten effektive Schaltverhalten auf dem Markt für die anspruchsvollsten hocheffizienten Brückentopologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler.
Schnelle Gehäusediode
Niedriger RDS(on) pro Fläche im Vergleich zu vorheriger Generation
Niedrige Gate-Ladung, Eingangskapazität und Widerstand
100 % Avalanche geprüft
Extrem hohe dv/dt-Robustheit
Zener-geschützt
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